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[单选题]
在什么条件下，金属和半导体接触形成电子阻挡层？（)
A.金属和n型半导体接触，Wm＞Ws
B.金属和n型半导体接触，Wm＜Ws
C.金属和p型半导体接触，Wm＞Ws
D.金属和p型半导体接触，Wm＜Ws
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金属钡(Wm=2.48eV)表面受到紫色光(λ=430nm)照射时，能否放出光电子，放出能量为多少？在图所示的光电测量装置中，如果光由正面照射，且hν＞qΦns将产生怎样的结果；此时若金属层很薄，且hν＞Eg(半导体禁带宽度)，其结果又如何？请解释如何用这一方法来测量金属半导体接触时金属一边的势垒高度。
A.由光激发产生的电子，无法到达导带，与留在价带中的空穴通过库仑力结合在一起，形成一种处于激发状态的新系统
B.新系统中的电子和空穴不能单独移动
C.整个系统呈电中性
D.激子具有和孤立氢原子相同的量子化能级
E.新系统中的电子和空穴可以单独移动
F.通常半导体材料中的激子在室温下就可以观察到
石墨烯是由碳原子按六边形晶格整齐排布而成的碳单质，结构非常稳定。以下对石墨烯描述不正确的是：
A.是世界上已经发现的最薄、最坚硬的物质
B.安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫于2005年制备出石墨烯
C.导电性能极佳，电子移动速度远远超过了电子在金属导体或半导体中的移动速度
D.导热性超过现有一切已知物质
石墨烯是由碳原子按六边形晶格整齐排布而成的碳单质．结构非常稳定。以下对石墨烯描述不正确的是：
A.是世界上已经发现的最薄、最坚硬的物质
B.德烈．海姆和康斯坦丁．诺沃肖洛夫于2005年制备出石墨烯
C.导电性能极佳，电子移动速度远远超过了电子在金属导体或半导体中的移动速度
D.导热性超过现有一切已知物质
当半导体形成pn结时，p型中的空穴(或n型中的电子)为什么不能不受限制地迁移到n型(或p型)中去呢？
