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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

存储周期是指( )。

A.存储器的读出时间

B.存储器的写入时间

C.存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔

D.存储器进行一次读和写操作所用时间的统计平均值

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第1题

若某存储器存储周期为250ns，每次读出16位，则该存储器的数据传输率是（）。A．4×106B／sB．4MB／sC．

若某存储器存储周期为250ns，每次读出16位，则该存储器的数据传输率是（）。

A．4×106B／s

B．4MB／s

C．8×106B／s

D．8MB／s

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第2题

若存储周期250ns，每次读出16位，则该存储器的数据传送率为( )。

A.4×106B/s

B.4MB/s

C.8×106B/s

D.8MB/s

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第3题

存储器的带宽是指________，如果存储周期为TM，存储字长为n位，则存储器带宽为________，常用的单位

是________或________。为了加大存储器的带宽可采用________和________。

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第4题

只读存储器是指信息可根据需要随时写入和读出的存储器。（)

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第5题

存储器的存取周期是指（）。A．存储器的读出时间B．存储器的写入时间C．存储器进行连续读或写操作

存储器的存取周期是指（）。

A．存储器的读出时间

B．存储器的写入时间

C．存储器进行连续读或写操作所允许的最短时间间隔

D．存储器进行一次读或写操作所需的平均时间

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第6题

存储周期是50ns，存储器的访问频率是（)次/秒。

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第7题

RAM是一种既能写入又能读出的存储器。RAM只能在电源电压正常时工作，一旦断电，______。

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第8题

双端口存储器与普通存储器的差异是（)

A、存储周期更短

B、字长更宽

C、有两个访问端口

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第9题

已知单个存储体的存储周期为110ns，总线传输周期为10ns，则当采用低位交叉编址的多模块存储器时，存

储体数应（）。

A．小于11

B．等于11

C．大于11

D．大于等于11

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第10题

存储器进行一次完整的读／写操作所需的时间，称为存储周期。（)

存储器进行一次完整的读/写操作所需的时间，称为存储周期。()

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