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[主观题]

若某存储器存储周期为250ns，每次读出16位，则该存储器的数据传输率是（）。A．4×106B／sB．4MB／sC．

若某存储器存储周期为250ns，每次读出16位，则该存储器的数据传输率是（）。

A．4×106B／s

B．4MB／s

C．8×106B／s

D．8MB／s

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第1题

若存储周期250ns，每次读出16位，则该存储器的数据传送率为( )。

A.4×106B/s

B.4MB/s

C.8×106B/s

D.8MB/s

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第2题

存储周期是指( )。

A.存储器的读出时间

B.存储器的写入时间

C.存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔

D.存储器进行一次读和写操作所用时间的统计平均值

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第3题

动态半导体存储器的特点是( )。

A.在工作中存储器内容会产生变化

B.每次读出后，需要根据原存内容重新写入一遍

C.每隔一定时间，需要根据原存内容重新写入一遍

D.在工作中需要动态改变访存地址

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第4题

存储器的带宽是指________，如果存储周期为TM，存储字长为n位，则存储器带宽为________，常用的单位

是________或________。为了加大存储器的带宽可采用________和________。

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第5题

某CPU的主频为250MHZ，则它的时钟周期为（)。

A.250ns

B.50ns

C.40ns

D.4ns

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第6题

设存储器容量为16位，字长为32位，模块数m=4，分别用顺序方式和交叉方式进行组织。存储周期T=100 ns，

数据总线宽度为32位，总线传送周期t=25 ns。试问顺序存储器和交叉存储器的带宽各是多少？

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第7题

某16位微型机主存地址码为24位，按字节编址，使用1M×1位的DRAM芯片组成，存储周期为0．1μs，请问该机

所允许的最大主存空间是多少？需用多少片DRAM芯片？若采用异步刷新方式，设存储元刷新最大间隔时间不超过8ms，则刷新定时信号的间隔时间是多少？

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第8题

已知单个存储体的存储周期为110ns，总线传输周期为10ns，则当采用低位交叉编址的多模块存储器时，存

储体数应（）。

A．小于11

B．等于11

C．大于11

D．大于等于11

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第9题

存储器进行一次完整的读／写操作所需的时间，称为存储周期。（)

存储器进行一次完整的读/写操作所需的时间，称为存储周期。()

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第10题

存储周期是50ns，存储器的访问频率是（)次/秒。

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