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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

下列关于费米能级的说法错误的是()。

A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大

B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远

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第1题
关于“陷阱”,以下说法正确的是:()。

A.在费米能级附近时,最有利于陷阱效应

B.在禁带中线附近时,最有利于陷阱效应

C.陷阱的存在缩短了少子的寿命

D.陷阱中心是浅能级杂质

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第2题
关于强电离区,以下说法正确的是:()。

A.载流子浓度不随温度变化

B.大部分杂质都已电离

C.本征激发的影响可以忽略

D.载流子浓度随温度升高按指数规律变化

E.费米能级不随温度变化

F.本征激发的影响不可忽略

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第3题
在下列公式中计算本征半导体费米能级的是()。

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第4题
电极的极化的本质是电极中费米能级的移动。()
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此题为判断题(对,错)。

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第5题
处于热平衡状态的半导体,应满足以下条件或符合以下特征:()。

A.无外界作用

B.有确定的载流子浓度

C.有统一的费米能级

D.载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方

E.导带和价带之间没有统一的费米能级

F.载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方G、有非平衡载流子

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第6题
当温度增加时,费米能级也增加。()

此题为判断题(对,错)。

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第7题
计算硅在-78°C, 27°C, 300°C时的本征费米能级,假定它在禁带中线合理吗?
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第8题
300K时,在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体,欲使得锗中的费米能级低于导带底能量O.15eV
,施主掺杂陈度ND为()。

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第9题
异质结能带结构的特点包括:()。

A.在两种材料的交界面处,能带弯曲不连续,形成“凹口”和“尖峰”

B.能带在交界面处,有一个突变(导带阶和价带阶)

C.能带的变化是连续的

D.能带的变化与两种材料的费米能级无关

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第10题
一理想费米气体的粒子数为N,体积为V,能量为E,粒子的态矢量为,式中,l和k是轨道量子数,自旋量子数s可取和两个

一理想费米气体的粒子数为N,体积为V,能量为E,粒子的态矢量为,式中,l和k是轨道量子数,自旋量子数s可取两个值.设粒子的能级,只依赖量子数l,简并度为.假设每一个量子态上最多只能有一个粒子,并且轨道量子数,和是相同的两个量子态不能同时被占据.如果气体处在热力学平衡态,试导出占据在能级上的粒子数al的表达式.

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第11题
以npn型双极型晶体管为例,以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是()。

A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂,禁带宽度变窄,增大

B.发射区重掺杂导致电子浓度升高,增大,发射效率提高

C.俄歇复合增强,空穴寿命减小,扩散长度减小,增大

D.考虑发射效率公式,放大系数减小

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