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[主观题]
p沟道MOSFET，其衬底为()型，当栅极施加适当负压后，可形成()导电沟道。
p沟道MOSFET，其衬底为（)型，当栅极施加适当负压后，可形成（)导电沟道。
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饱和区，可变电阻区，预夹断临界点或截止)。
A.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大
B.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小
C.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大
D.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小
