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[判断题]

场效应晶体管根据它的导电沟道可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管二种。（)

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第1题

栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是（)。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第2题

当UGS=0时，漏源之间存在导电沟道的称为______型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为______型场效应管。

当U_GS=0时，漏源之间存在导电沟道的称为______型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为______型场效应管。

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第3题

在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于（)状态，（)导电沟道。

A.积累，无

B.耗尽，无

C.反型，有

D.积累，有

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第4题

结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别？

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第5题

由N沟道结型场效应管构成的电路如下图（a)所示，已知场效应管的IDSS=2mA，UGS（off)=－3.5V。试：

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第6题

原型化方法是确定软件需求的最佳策略，它快速地和迭代地建立起最终系统的工作模型。它也是一种动态

定义技术。信息系统建立时，常用的原型化方法一般可分为三类，即()。

A．探索型、开发型、直接型

B．探索型、实验型、演化型

C．灵活型、结构型、复杂型

D．目标型、实验型、探索型

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第7题

阴极区的导电机构不包括（）。

A.热发射型

B.场致发射型

C.光发射型

D.等离子型

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第8题

当采用Cu、Fe、Al等冷阴极材料作为阴极，其导电机构是（）。

A.热发射型

B.场致发射型

C.光发射型

D.等离子型

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第9题

MOS管中的导电沟道一旦被夹断，则漏极电流变为零。（)

MOS管中的导电沟道一旦被夹断，则漏极电流变为零。( )

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第10题

当采用W、C等热阴极材料作为阴极，且留过大电流时，其导电机构是（）。

A.热发射型

B.场致发射型

C.光发射型

D.等离子型

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第11题

增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（)。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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