题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
在图3－6所示电路中，已知P沟道增强型MOSFET的，VGS（th)=－1V，并忽略沟道长度调制效应。
在图3-6所示电路中，已知P沟道增强型MOSFET的
答案
=0.04(VGS-VGS(th))2mA
|VGS|=|VDD|-IDRS=10-0.04(VGS-VGS(th))2RSV
当RS=0时，|VGS|=10V＞|VGS(th)|．工作在饱和区。
当RS增加时，|VGS|减小。
当RS→∞时，|VGS|→|VGS(th)|，但仍满足|VGS|≥|VGS(th)|的条件。如果|VGS|＜|VGS(th)|，将会由于ID=0，使|VGS|=|VDD|，显然不合理。
综上所述，对于任意RS值，场效应管都可工作在饱和区。$当RS=12.5kΩ时，VGS=2.8V或VGS=-4.36V，取VGS=-4.36V。则VO=VDD-VGS=-10V-(-4.36V)=-5.64V。
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