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第2题
在晶体缺陷中属于点缺陷的有（) ，属于面缺陷的有（) 。
A.间隙原子
B.刃型位错
C.晶界
D.空位
E.亚晶界
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第3题
若计及缺陷对最近邻m个原子的影响，采用爱因斯坦模型，求出高温时晶体中的弗仑克尔缺陷数目，设空位最近邻的原
子的频率变为ω1，填隙原子最近邻的原子的频率变为ω2．
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第4题
实际金属晶体结构中的晶界属于晶体缺陷中的______。
A.点缺陷
B.线缺陷
C.面缺陷
D.以上答案均不对
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第5题
属于线缺陷的晶体缺陷是（)。A．刃位错B．晶界C．亚晶界D．间隙原子
属于线缺陷的晶体缺陷是()。
A．刃位错
B．晶界
C．亚晶界
D．间隙原子
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第6题
大量的事故分析表明，低应力脆断的原因，是材料内部含有一定尺寸的（)，在给定应力下扩展到某一临界尺寸时，就会发生突然断裂。
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第7题
太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是()。
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第8题
沉淀强化型合金具有良好的高温蛹变强度和抗疲劳性能，其强化方式包括以下哪几种？（)
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第9题
商用太阳电池中实际应用的主要为()。
A.化合物晶体电池
B. 化合物薄膜电池
C. 硅晶电池
D. 硅薄膜电池
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第10题
原子在多晶体中扩散可按哪几种不同途径进行（)。
A.体扩散(晶格扩散)
B.表面扩散
C.晶界扩散
D.位错扩散
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第11题
原子在多晶体中扩散可按几种不同途径进行（)。
A.体扩散(晶格扩散)
B.表面扩散
C.晶界扩散
D.位错扩散
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