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[判断题]

在使用绝缘栅型场应管时,栅源间应有直流通路。()

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第1题
判断一个MOS管是否导通的关键是()与阈值电压作比较。

A.衬底与源间电压

B.漏源电压

C.栅漏电压

D.栅源电压

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第2题
要迫使MOS管工作在饱和区,可以在工作时将栅和源短接在一起,则沟道总是被夹断的。()
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第3题
结型场效应管工作时,栅一源电压必须使PN结正偏。()
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第4题
在绝缘栅型场效应管中,应用最广泛的是NMOS场效应管。()
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第5题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第6题
场效应晶体管根据它的导电沟道可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管二种。()
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第7题
栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是()。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第8题
推导结型场效应四级管的电流-电压关系,在该四级管中,两个栅极是分开的,两个栅上的外加电压为VG1和VG2.假设

推导结型场效应四级管的电流-电压关系,在该四级管中,两个栅极是分开的,两个栅上的外加电压为VG1和VG2.假设为单边突变结.

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第9题
在外加栅压为零时,p沟增强型MOS管半导体表面处于()状态,()导电沟道。

A.积累,无

B.耗尽,无

C.反型,有

D.积累,有

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第10题
共源一共栅放大电路如图LP4-57所示,设各管衬底均与VSS相接,rds2忽略不计.(1)试推导
共源一共栅放大电路如图LP4-57所示,设各管衬底均与VSS相接,rds2忽略不计.(1)试推导

表示式,并说明T4管的作用;(2)若没有T2管,增益Ai如何变化?

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第11题
动态RAM的基本存储电路,是利用MOS管栅-源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为了避免所存信息的丢失,必须定时给电容补充电荷,这一操作称为()。

A.刷新

B.存储

C.充电

D.放电

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