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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

N型半导体是在本征半导体中加入（)后形成的杂质半导体。

A.空穴

B.三价元素

C.五价元素

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第1题

300K时，在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体，欲使得锗中的费米能级低于导带底能量O.15eV

，施主掺杂陈度ND为()。

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第2题

P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的，其多子是()，少子是()。

P型半导体是在本征半导体中掺入（)价杂质形成的，其多子是（)，少子是（)。

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第3题

本征半导体中掺入适量的施主杂质可以形成P型半导体。（)

本征半导体中掺入适量的施主杂质可以形成P型半导体。()

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第4题

本征半导体中掺入微量______价元素可形成P型半导体，其多数载流子为______。

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第5题

理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？（)

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

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第6题

何谓本征半导体、P型半导体和N型半导体？它们在导电性能上各有何特点？

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第7题

在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素)就形成了杂质半导体。（)

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第8题

下列关于费米能级的说法错误的是（)。

A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大

B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远

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第9题

在本征半导体中，本征激发到空带中的电子数目大于余下的满带中的空穴数目。（)

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第10题

在下列公式中计算本征半导体费米能级的是（)。

在下列公式中计算本征半导体费米能级的是()。

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第11题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是？（)

A.平坦能带状态

B.少子反型状态

C.深耗尽状态

D.本征状态

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