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[判断题]

在本征半导体中加入微量的3价元素，就得到P型半导体，内部载流子数量大大增加，且多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（)

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更多“在本征半导体中加入微量的3价元素，就得到P型半导体，内部载流…”相关的问题

第1题

在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素)就形成了杂质半导体。（)

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第2题

本征半导体中掺入微量______价元素可形成P型半导体，其多数载流子为______。

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第3题

N型半导体是在本征半导体中加入（)后形成的杂质半导体。

A.空穴

B.三价元素

C.五价元素

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第4题

控制轧制钢是在普通低合金钢中加入微量的碳化物形成元素（Ti、Nb、V等)，可以产生显著的沉淀强化效果。（)

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第5题

P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的，其多子是()，少子是()。

P型半导体是在本征半导体中掺入（)价杂质形成的，其多子是（)，少子是（)。

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第6题

在下列公式中计算本征半导体费米能级的是（)。

在下列公式中计算本征半导体费米能级的是()。

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第7题

何谓本征半导体、P型半导体和N型半导体？它们在导电性能上各有何特点？

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第8题

在本征半导体中，本征激发到空带中的电子数目大于余下的满带中的空穴数目。（)

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第9题

300K时，在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体，欲使得锗中的费米能级低于导带底能量O.15eV

，施主掺杂陈度ND为()。

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第10题

理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？（)

A.多子积累

B.多子耗尽

C.平坦能带

D.本征状态

E.少子反型

F.少子积累G、少子耗尽

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第11题

对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是？（)

A.平坦能带状态

B.少子反型状态

C.深耗尽状态

D.本征状态

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