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电路如图题2.5所示，给定参数如下：工作频率f=20MHz，C=25pF，线圈Lp的空载品质因数Q0=60，N12=6，N23=4，N45=3，R=10kΩ，Rg=2.5kΩ，RL=900Ω，Cg=9pF，CL=12pF。求：电感L13和有载品质因数QL。
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已知电路参数如图题5.2.9所示，FET工作点上的互导gm=1mS，设
。(1)画出电路的小信号等效电路；(2)求电压增益Av；(3)求放大电路的输入电阻Ri。
在如图题2-10所示电路中，β=100，其他参数如图所示。
(1)求静态工作点IBQ、ICQ、ICEQ。
(2)画出中频微变等效电路。
(3)求电压放大倍数
。
(4)求输入电阻ri和输出电阻ro。
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为gm1=0.7mS，λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。
)1) 计算晶体管T1的静态工作点IDQ，VGSQ和VDSQ;
2) gm, 中频电压放大倍数Av，输入电阻Ri和输出电阻Ro;
电路如图题7.2.4所示，输入信号电压
。当电路中T1~T4参数已知
，证明电路的电压增益为：
。
，Rs2=5千欧，Rg1=500千欧，Rg2=300千欧，IDQ1=IDQ2=1.5mA，VGSQ1=VGSQ2=3V。试求(1)输入和输出电阻;(2)源电压增益Aex。
利用运算放大器构成的积分器电路如图11-13所示.此电路是图11-11取
而得到的.利用该题结果证明这是一个近似的积分器电路,给出近似条件(K、R、C参数之条件).
放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻Rs1=0，BJT的型号为2N3904，β=100，电路其他参数：Re=3.3千欧，Re=1.3千欧，Rb1=33千欧，Rb2=10千欧，RL=5.1千欧，Cb1=Cb2=10μF，Ce=50μF，VCC=12V。试求：集电结电容Cb在1~10pF之间变化时，上限频率fH的变化范围。
等效电路;(3)估算BJT的输入电阻rbe;(4)如输出端接入4千欧的负载电阻，计算Ae=v0/vi及Aen=v0/vs。
