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[主观题]

在图LP2-19所示电路中,已知晶体三极管的β=200,VBE(on)=-0.7 V,ICBO≈0。 (1)试求IB、IC、VCE;

在图LP2-19所示电路中,已知晶体三极管的β=200,VBE(on)=-0.7 V,ICBO≈0。

在图LP2-19所示电路中,已知晶体三极管的β=200,VBE(on)=-0.7 V,ICBO≈0。(1)试求IB、IC、VCE; (2)若电路中元件分别作如下变化,试指出晶体三极管的工作模式:(a)RB2=2 kΩ(b)RB1=15 kΩ(c)RE=100 Ω。

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第1题
例1.4 在图1.11所示电路中,已知:RB=10kΩ,RC=1kΩ,UCC=10V,三极管β=50,UBE=0.7V。试分析在下列情况时,三极管工

例1.4 在图1.11所示电路中,已知:RB=10kΩ,RC=1kΩ,UCC=10V,三极管β=50,UBE=0.7V。试分析在下列情况时,三极管工作在何种工作状态:(1)Ui=0V;(2)Ui=2V;(3)Ui=3V。

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第2题
图LP5-25(a)所示为某集成运放的内部电路框图,它为无零三极系统,各极点角频率值由相应的R和C决
图LP5-25(a)所示为某集成运放的内部电路框图,它为无零三极系统,各极点角频率值由相应的R和C决

定,已知 若把它接成图LP5-25(b)所示的同相放大电路,为保证反馈放大器稳定工作,可采用简单电容补偿,亦可采用如图LP5-25(c)所示的密勒电容补偿,图中gm=试求两种补偿时所需的电容值.设密勒补偿时各级的输入和输出电阻对电路影响忽略不计.

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第3题
在图3-23所示的电路中,已知试求I3

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第4题
在图NP3-21所示晶体振荡电路中,试分析晶体的作用。已知晶体与CL构成并联谐振回路,其谐振电
阻R0=80kΩ,R1/R2=2,试问:为满足起振条件,R应小于何值?设集成运放是理想的。

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第5题
在图所示正弦稳态电路中,已知电源电压=800°V,R1=R2=XL=XC=20Ω,试求。

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第6题
在图所示电路中,已知,非正弦电源电压u=(4+100sinωt+40sin3ωt)V。试求:

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第7题
在图所示电路中,调节C使电路中电流达到最大Imax=0.5A,UL=200V。已知:uS=2cos(104t+20°)V。

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第8题
在图3.10所示电路中,已知U=220v, 超前于 超前于 求U1和U2

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第9题
在图NP5-20(a)所示的集成斜率鉴频电路中,试画出波形(坐标对齐)。已知。
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第10题
在图3-6所示电路中,已知P沟道增强型MOSFET的,VGS(th)=-1V,并忽略沟道长度调制效应。

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第11题
在图所示电路中,已知E=10V,R1=0.1Ω,R2=9.9Ω,求开关在不同位置时电流表和电压表的读数。

在图所示电路中,已知E=10V,R1=0.1Ω,R2=9.9Ω,求开关在不同位置时电流表和电压表的读数。

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