题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
下列关于DRAM的说法错误的是（）
A.由一个晶体管和一个小电容组成
B.其内容一般只能保存2ns
C.断电后信息丢失
D.是内存的主体
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下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是()。
A．刷新是指对DRAM中的存储电容重新充电
B．刷新是通过对存储单元进行“读但不输出数据”的操作来实现
C．由于DRAM内部设有专门的刷新电路，所以访存期间允许进行刷新
D．刷新期间不允许访存，这段时间称为“访存死区(也叫死时间)”
下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是()。
A．刷新操作按行进行，一次刷新一行中的全部存储单元
B．刷新所需的行地址是由DRAM内部的刷新计数器(行地址生成器)给出
C．集中刷新的“死时间”要大于异步刷新的“死时间”
D．分散刷新方式同样存在“死时间”
A.提供DRAM刷新定时
B.按照DRAM刷新优先于读写的原则为DRAM提供仲裁
C.通过仲裁可以避免读写和刷新操作的冲突
D.产生符合DRAM操作的控制信号
下列关于SRAM和DRAM的论述中，错误的是()。
A．SRAM通常用于实现CaChe，DRAM用于实现主存
B．由于容量大，DRAM采用行列地址复用技术，地址引脚数量仅为地址宽度的一半
C．控制线RAS和CAS是DRAM特有的，分别控制从地址线上读行地址和列地址
D．SRAM和DRAM芯片都有片选信号线CS
A.内存速度用进行一次读或写操作所花费的“访问时间”来描述
B.DRAM的主要参数有两个：存储容量和工作频率，工作频率反映了存储器读写单元的速度
C.动态存储器(DRAM)集成度低，生产成本高，一般用在比内存小得多的高速缓冲存储器等场合
D.断电后RAM中的内容全部丢失，目前使用的RAM多数为MOS型半导体集成电路
关于SRAM和DRAM，下列叙述中正确的是（）。
A．通常SRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容上有电荷为1，无电荷为0
B．DRAM依靠双稳态电路的两个稳定状态来分别存储0和1
C．SRAM速度较慢，但集成度稍高；DRAM速度稍快，但集成度低
D．SRAM速度较快，但集成度稍低；DRAM速度稍慢，但集成度高
A．RAM分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类
B．SRAM的集成度比DRAM高
C．DRAM的存取速度比SRAM快
D．RAM中存储的数据无须“刷新”
下列关于存储器的论述中，正确的是()。
A．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高
B．常用的EPR，OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成，出厂时存储内容为全“0”
C．SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息，所以不需要刷新
D．双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
A.SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失
B.SRAM的集成度比DRAM高
C.DRAM的存取速度比SRAM快
D.CPU中的cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成
A.RBS2000的软件操作，分前台与后台两种工作模式
B.DRAM中的软件操作，属于前台工作模式;而FLASHMEMORY的软件操作属于一种后台工作模式
C.FLASHMEMORY属于刷新存储器，软件被贮存在刷新存贮器中，即使断电，也不会丢失
D.DRAM断电后，软件丢失
