题目内容
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[单选题]
MOS场效应管是___控制的器件，双极型晶体管是___控制的器件。
A.电压，电压
B.电压，电流
C.电流，电压
D.电流，电流
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和动态MOS存储器相比，双极型半导体存储器的性能是________。
A．集成度高，存取周期快，位平均功耗少
B．集成度高，存取周期快，位平均功耗大
C．集成度低，存取周期快，位平均功耗大
A.集成度低，存取周期快，位平均功耗小
B.集成度高，存取周期快，位平均功耗小
C.集成度高，存取周期快，位平均功耗大
D.集成度低，存取周期快，位平均功耗大
下列关于存储器的论述中，正确的是()。
A．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高
B．常用的EPR，OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成，出厂时存储内容为全“0”
C．SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息，所以不需要刷新
D．双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高
