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[单选题]

已知晶体的晶格常数为0.252nm,X射线以30度的掠射角入射,观察到第三级反射极大,X射线的波长为()

A.0.084nm

B.0.042nm

C.0.168nm

D.0.252nm

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第1题
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第2题
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把热中子窄束射到晶体上,由布拉格衍射图样可以求得热中子的能量.若晶体的原子间距(即晶格常量)为0.18nm,第一级加强时掠射角为30。,试求这些热中子的能量.

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第3题
描绘原子在晶体中排列形式的空间格架简称为()。

A.晶胞

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第4题
设单色伦琴射线(λ=0.0275nm)投射到方解石晶体上,当发生反射加强时,测得射线与晶体表面的最小掠射角为2°36&

设单色伦琴射线(λ=0.0275nm)投射到方解石晶体上,当发生反射加强时,测得射线与晶体表面的最小掠射角为2°36',求方解石的品格常数。

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第5题
电子束在铝箔上反射时,第一级反射线的偏转角(2ϕ)为4°.已知铝的晶格常数为0.405nm, 求电子速度。计算时忽略电子质量的改变。
电子束在铝箔上反射时,第一级反射线的偏转角(2ϕ)为4°.已知铝的晶格常数为0.405nm, 求电子速度。计算时忽略电子质量的改变。

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第6题
已知KF晶体具有NaCl型结构,在20℃时测出KF晶体密度为2.481 g.cm-3,试计算KF晶胞的边长及在晶胞中
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第7题
‎以下哪项不是制备核壳结构的半导体量子点的必要条件?()‌

A.壳层的禁带宽度要比相应的核层大

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C.一定要缓慢滴加前驱体溶液

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第8题
单色X射线入射到NaCl晶体上,已知该晶体的点阵间距为0.3nm,当入射角为60°时,观察到第1级反射极大。试求X射线
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第9题
设随机变量X的概率密度函数为其中A,B为常数,已知E(X)=D(X),试求A,B和E(X).
设随机变量X的概率密度函数为其中A,B为常数,已知E(X)=D(X),试求A,B和E(X).

设随机变量X的概率密度函数为

其中A,B为常数,已知E(X)=D(X),试求A,B和E(X).

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第10题
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设X1,X2,…,Xn为来自总体X~N(μ,σ2)的简单随机样本,已知σ2为常数,要检验假设H0:μ=μ00为已知常数)时,选用的统计量为______;当风成立时,该统计量服从______分布.

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第11题
已知X的分布律为 X -2 1 x P frac{1}{4} p frac{1}{4} 且EX=1,则常数x=_

已知X的分布律为

X-21x
Pfrac{1}{4}pfrac{1}{4}

且EX=1,则常数x=______.

(A)2 (B)4 (C)6 (D)8

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