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[判断题]

TTL内部的晶体管全部是PNP型的双极型三极管。（)

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第1题

考察PNP型双极型晶体管内部载流子的输运过程，发射效率项定义为注入到基区的电子电流与发射极总电流之比。（)

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第2题

在恒流源电路中，双极型晶体管的工作状态是（)。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第3题

当发射结承受反向电压、集电结承受反向电压时，双极型晶体管的工作状态是（)。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第4题

双极型晶体管共发射极连接使用，在输出特性曲线中，随着的增加上升得越多，代表Early电压越大。（)

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第5题

在双极型晶体管放大电路中，求其静态工作点，就是要求出()的值。

在双极型晶体管放大电路中，求其静态工作点，就是要求出（)的值。

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第6题

MOS场效应管是___控制的器件，双极型晶体管是___控制的器件。

A.电压，电压

B.电压，电流

C.电流，电压

D.电流，电流

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第7题

下面哪一种不是异质结双极型晶体管的特点（）。

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

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第8题

双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括（)。

A.基区宽度足够小

B.发射结正偏

C.集电结反偏

D.发射结及集电结的结电阻足够小

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第9题

在大电流的情况下，导致双极型晶体管增益下降的原因是（）。

A.发射极电流集边效应

B.发射结复合电流

C.Early效应

D.Webster效应

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第10题

双极型晶体管发射极电流集边效应是指发射结中心部分的电流密度较低，发射极电流主要集中在发射极的边缘部分。（)

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第11题

平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（)。

A.均匀分布

B.线性分布

C.高斯分布

D.余误差分布

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